SI2302CDS-T1-GE3
- Vishay
- Cina
- 21+/22+
- 5000~50000
1, fornitura di fabbrica EMS super grande, le migliori condizioni di conservazione;
2, la fabbrica originale non ha aperto lo standard originale (l'intero pacchetto), la qualità è garantita;
3, i materiali di controllo non speciali non possono essere verniciati;
4, i prodotti dell'ultimo anno, disponibili per una varietà di materiali scarsi;
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo | Seleziona Attributo |
|---|---|---|
| Vishay | ||
| Categoria di prodotto: | MOSFET | |
| RoHS: | Particolari | |
| E | ||
| SMD/SMT | ||
| OGGI-23-3 | ||
| Canale N | ||
| 1 canale | ||
| 20 V | ||
| 2,9 A | ||
| 57 mOhm | ||
| -8V, +8V | ||
| 850 mV | ||
| 3,5 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 860 mW | ||
| Aumento | ||
| TrenchFET | ||
| Bobina | ||
| Tagliare il nastro | ||
| Bobina di topo | ||
| Marca: | Semiconduttori Vishay | |
| Configurazione: | Separare | |
| Tempo di caduta: | 7 n | |
| Altezza: | 1,45 mm | |
| Lunghezza: | 2,9 mm | |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET | |
| Ora di alzarsi: | 7 n | |
| Serie: | SI2 | |
| 3000 | ||
| Sottocategoria: | MOSFET | |
| Tipo di transistor: | 1 canale N | |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 30 n | |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 8 n | |
| Larghezza: | 1,6 mm | |
| Parte # Alias: | SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3 | |
| Unità di peso: | 0,000282 once |
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