MSD42T1G
- onsemi
- Cina
- 21+/22+
- 5000~50000
1, fornitura di fabbrica EMS super grande, le migliori condizioni di conservazione;
2, la fabbrica originale non ha aperto lo standard originale (l'intero pacchetto), la qualità è garantita;
3, i materiali di controllo non speciali non possono essere verniciati;
4, i prodotti dell'ultimo anno, disponibili per una varietà di materiali scarsi;
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo | Seleziona Attributo |
|---|---|---|
| tutti loro | ||
| Categoria di prodotto: | Transistor bipolari - BJT | |
| RoHS: | Particolari | |
| SMD/SMT | ||
| SC-59-3 | ||
| NPN | ||
| Separare | ||
| 300 V | ||
| 300 V | ||
| 6 V | ||
| 500 mV | ||
| 150 mA | ||
| 150 mW | ||
| - | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| MSD42 | ||
| Bobina | ||
| Tagliare il nastro | ||
| Bobina di topo | ||
| Marca: | tutti loro | |
| Collettore CC/guadagno di base hfe min: | 25 | |
| Altezza: | 1,2 mm | |
| Lunghezza: | 3,1 mm | |
| Tipologia di prodotto: | BJT - Transistor bipolari | |
| 3000 | ||
| Sottocategoria: | Transistor | |
| Tecnologia: | E | |
| Larghezza: | 1,7 mm | |
| Unità di peso: | 0,000988 once |
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