CSD19536KTTT
- TI
- Cina
- 21+/22+
- 5000~50000
1, fornitura di fabbrica EMS super grande, le migliori condizioni di conservazione;
2, la fabbrica originale non ha aperto lo standard originale (l'intero pacchetto), la qualità è garantita;
3, i materiali di controllo non speciali non possono essere verniciati;
4, i prodotti dell'ultimo anno, disponibili per una varietà di materiali scarsi;
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo | Seleziona Attributo |
|---|---|---|
| Strumenti texani | ||
| Categoria di prodotto: | MOSFET | |
| RoHS: | Dettagli | |
| E | ||
| SMD/SMT | ||
| TO-263-3 | ||
| Canale N | ||
| 1 canale | ||
| 100 V | ||
| 272 A | ||
| 2,4 mOhm | ||
| -20V, +20V | ||
| 2.1 V | ||
| 118 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 175 C | ||
| 375W | ||
| Aumento | ||
| NextFET | ||
| CSD19536KTT | ||
| Bobina | ||
| Tagliare il nastro | ||
| Bobina di topo | ||
| Marca: | Strumenti texani | |
| Configurazione: | Separare | |
| Tempo di caduta: | 6 n | |
| Transconduttanza diretta - Min: | 329 S | |
| Altezza: | 4,7 mm | |
| Lunghezza: | 9,25 mm | |
| Sensibile all'umidità: | SÌ | |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET | |
| Ora di alzarsi: | 8 n | |
| 50 | ||
| Sottocategoria: | MOSFET | |
| Tipo di transistor: | 1 canale N | |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 32 n | |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 13 n | |
| Larghezza: | 10,26 mm | |
| Unità di peso: | 0,068654 once |
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