CSD17552Q3A
- TI
- Cina
- 21+/22+
- 5000~50000
1, fornitura di fabbrica EMS super grande, le migliori condizioni di conservazione;
2, la fabbrica originale non ha aperto lo standard originale (l'intero pacchetto), la qualità è garantita;
3, i materiali di controllo non speciali non possono essere verniciati;
4, i prodotti dell'ultimo anno, disponibili per una varietà di materiali scarsi;
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo | Seleziona Attributo |
|---|---|---|
| Strumenti texani | ||
| Categoria di prodotto: | MOSFET | |
| RoHS: | Dettagli | |
| E | ||
| SMD/SMT | ||
| VSONP-8 | ||
| Canale N | ||
| 1 canale | ||
| 30 V | ||
| 48 A | ||
| 8,1 mOhm | ||
| -20V, +20V | ||
| 1,5 V | ||
| 9 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 2,6 W | ||
| Aumento | ||
| NextFET | ||
| CSD17552Q3A | ||
| Bobina | ||
| Tagliare il nastro | ||
| Bobina di topo | ||
| Marca: | Strumenti texani | |
| Configurazione: | Separare | |
| Tempo di caduta: | 3,4 n | |
| Transconduttanza diretta - Min: | 106 S | |
| Altezza: | 0,9 mm | |
| Lunghezza: | 3,15 mm | |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET | |
| Ora di alzarsi: | 7,4 n | |
| 2500 | ||
| Sottocategoria: | MOSFET | |
| Tipo di transistor: | 1 canale N | |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 11 n | |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 7,2 n | |
| Larghezza: | 3mm | |
| Unità di peso: | 0,000981 once |
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